15.04.2011, 10:30 Uhr

Intel und Micron verkleinern Flash-Speicher

Die ersten NAND-Flash-Speicher von Intel und Micron , die im 20-Nanometer-Herstellungsprozess gefertigt weden, liegen als Prototypen vor.
Die Miniaturisierung schreitet auch bei den Flash-Speichern voran. (Bild: Intel)
Intel und Micron Technology haben ihr 20-Nanometer-Verfahren zur Herstellung von NAND-Flash-Speichern vor. Basierend auf diesem kommen acht Gigabyte grosse «Multi Level Cell»-Bausteine (MLC) auf den Markt. Diese eignen sich dank hoher Kapazität und geringer Grösse ideal für den Einsatz in Smartphones, Tablets und in Solid-State-Laufwerken (SSD).
Die Speichersteine messen 118 Quadratmillimeter. Verglichen mit Intels derzeitigem 8-Gigabyte-NAND-Modell, das im 25-Nanometer-Verfahren hergestellt wird und 131 Quadratmillimeter aufweist, ermöglichen sie es somit, die Ausmasse der Hauptplatine (abhängig vom Gehäusetyp) um bis zu 40 Prozent zu verringern. Die Verkleinerung des Flash-Speichers erlaubt es den Herstellern von Smartphones und Tablets, den gewonnenen Raum mit einer grösseren Batterie, einem breiteren Bildschirm oder einem weiteren Chip für neue Anwendungen füllen.
Derzeit sind Prototypen der Geräte auf Basis des neuen Flash-Speichers in Produktion. Die Serienfertigung beginne voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2011, heisst es auf Herstellerseite. Bis dahin wollen Intel und Micron auch erste 16-Gigabyte-NAND-Flash-Speicher präsentieren, die dann auf der Fläche einer Briefmarke insgesamt bis zu 128 Gigabyte Speicherkapazität bieten und in eine SSD-Speicherlösung integriert sind.



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