Samsung mit neuen NAND-Flash-Speichern

Samsung hat angekündigt, Hochleistungs-DDR 2.0 MLC-Speicherbausteine nun im 20-Nanometer-Verfahren herzustellen. Die neuen Chips sollen gegenüber den bisher mittels DRR 1.0-Technik gefertigten Bausteinen die dreifache Leistung und mit jetzt 64 GB-Speicher die doppelte Kapazität bieten. Die neuen NAND-Flash-Speicher sind hauptsächlich für den Einsatz in Smartphones, Tablets und SSDs konzipiert. Dank einer umschaltbaren Toggle-DDR 2.0-Schnittstelle soll der neue 64-GB-Speicherchip mit bis zu 400 Megabit pro Sekunde Daten übertragen. Der Chip kommt in zwei Varianten: Mit Toggle-Modus von Samsung und Toshiba sowie mit Open-NAND-Flash-Interface vom Industriekonsortium ONFI für offenen NAND-Standard. Das ONFI-Protokoll wird derzeit von Flash-Herstellern wie Intel, Micron, Sandisk, Hynix und Spansion eingesetzt. Im März hat ONFI die 3.0-Spezifikationen fr die DDR-2.0-Schnittstelle und die neuen Datenrate veröffentlicht. DDR 2.0 bietet gegenüber den derzeit weit verbreiteten 40-MBit/s SDR (Single Data Rate) NAND-Flash-Speichern eine zehnfach höhere Datenrate. Der neue Speicherchip glänzt zudem mit dreifacher Leistung gegenüber der 133 Mbit/Sek-Datenrate des Toggle-DDR-1.0 32-GB-NAND-Chips, der von Samsung und Toshiba seit 2009 hergestellt wird. Wanhoon Hong, Samsung Vizepräsident für Marketing, verkündet stolz, dass Samsung mit dem neuen Chip-Prozess die Entwicklung der vierten Generation von Smartphones und SATA-SSDs einleiten wird. Der neue Chip soll den künftigen Anforderungen an komplexe Schnittstellen und steigende Datenraten gewachsen sein. Das neue Fertigungsverfahren bedeutet laut Samsung eine Produktionssteigerung von 50 Prozent gegenüber dem 20-Nanometer-32-GB MLC-Chip mit Toggle DDR-1.0 Schnittstelle, den Samsung seit April 2010 herstellt.