Samsung bringt 4-GBit-Speicherbaustein

Damit ist es den Südkoreanern gelungen, den DDR3-Speicherchip (Double Data Rate 3), der im 50-Nanometer-Verfahren hergestellt wird, nochmals enger mit Daten zu bepacken. Und zwar konnte die Speicherdichte auf 4 GBit verdoppelt werden. Damit kann Samsung Speicherbausteine auf den Markt bringen, die 32 GByte an Daten zwischenlagern können.

Zudem sind die jüngsten DDR3-DRAM schneller. Die Durchsatzrate ist laut Hersteller um 20 Prozent vergrössert worden. Gleichzeitig verbraucht der Speicher, der eine elektrische Spannung von 1,35 Volt benötigt, 40 Prozent weniger Strom als ein DDR3-DRAM-Chip mit einer Speicherdichte von 2 GBit. Diese Verbesserung ist bezogen auf die Verwendung von jeweils 16 GByte fassenden Speicherbausteinen.