08.12.2011, 10:32 Uhr
Flash-Speicher mit 128 GBit
Intel und Micron haben mit ihrem Joint Venture IM Flash Technologies nach eigenen Angaben einen Durchbruch bei der Speicherdichte von Flash-Chips geschafft.
Die beiden Unternehmen haben einen NAND-Flash-Chip vorgestellt, der im 20-Nanometer-Verfahren gefertigt wurde und über eine Kapazität von 128 Gigabit verfügt. Auf der Technik basierende Chips sollen künftig beispielsweise in Tablets und Smartphones eingesetzt werden. Erste Chips will IM Flash Technologies im Januar herausbringen. Die Massenproduktion soll im ersten Quartal 2012 anlaufen. Einzelne Chips können dann 16 Gigabyte an Daten speichern, ein Chip mit acht der neuen NAND-Flash-Dies hätte demzufolge eine Kapazität von 128 Gigabyte. Positiver Nebeneffekt der höheren Speicherdichte: Laut IM Flash Technologies reduzieren sich die Kosten bei der Wafer-Produktion.
