12.06.2006, 09:41 Uhr
Intel verspricht hocheffiziente Chips
Spätestens 2010 will Intel massiv leistungsfähigere Chips fertig haben. Und zwar dank so genannter Tri-Gate-Transistoren, die besonders gut isoliert sind.
Die Leistungssteigerung bei den Chips will Intel einzig und allein durch besser isolierte Schaltkreise erreichen, die wiederum eine grössere Transistorendichte auf jedem Prozessor erlauben. Solche "Tri-Gate"-Transistoren sollen ab 2010 fertig sein und im Vergleich zu den momentan gängigen 65-Nanometer-Transistoren durch 45 Prozent mehr Leistung oder 35 Prozent weniger Stromverbrauch glänzen. Am Grunddesign der Cmos-Chips wird dabei nichts verändert.
Sollten sich Intels Erwartungen in die Tri-Gates erfüllen, so dürfte es ihr damit auch gelingen, das drohende Ende von Moore's Gesetz auszuheben. Dieses besagt, dass sich die Anzahl der Transistoren auf einem Chip alle zwei Jahre verdoppelt. Doch physikalische Gegebenheiten setzen der endlosen Miniaturisierung absehbare Grenzen. Denn mit Fertigungsverfahren unter 90 Nanometern wächst die Gefahr von Stromverlust in den hauchdünnen Drähten überproportional.
Sollten sich Intels Erwartungen in die Tri-Gates erfüllen, so dürfte es ihr damit auch gelingen, das drohende Ende von Moore's Gesetz auszuheben. Dieses besagt, dass sich die Anzahl der Transistoren auf einem Chip alle zwei Jahre verdoppelt. Doch physikalische Gegebenheiten setzen der endlosen Miniaturisierung absehbare Grenzen. Denn mit Fertigungsverfahren unter 90 Nanometern wächst die Gefahr von Stromverlust in den hauchdünnen Drähten überproportional.
Catharina Bujnoch
