HPE mit schnelleren Storage-Lösungen

HPE bringt eine neue Klasse von Speicherlösungen für den Einsatz in Unternehmens-Rechenzentren aufs Tapez. «Memory-Driven Flash» basiert dabei auf Storage Class Memory (SCM), einer Hybridspeichertechnik, die nicht flüchtig ist und sich dennoch DRAM-Geschwindigkeiten annähert, sowie NVM Express (NVMe), ein extrem schnelles Kommunikations-Protokoll und Controller-Design, das SSDs besonders rasch via PCIe-Bus mit Daten beliefern kann. Memory-Driven Flash soll es Firmen ermöglichen, Echtzeitanalysen, Hochgeschwindigkeits-Transaktionen sowie Berechnungen mit grossen Datenmengen und mit Hilfe künstlicher Intelligenz zu stemmen.

Konkret soll HPEs Memory-Driven Flash die Leistung der hauseigenen Speicherlösungen 3PAR und Nimble Storage verbessern. Die Technik bietet Herstellerangaben zufolge bis zu doppelt so schnelle Latenzzeiten und ist bis zu 50 Prozent schneller als All-Flash-Arrays mit NVMe-Solid-State-Laufwerk. Die in HPE 3PAR und HPE Nimble Storage eingebaute Intelligenz optimiere zudem SCM, um Echtzeit-Verarbeitung für Latenz-empfindliche Applikationen und gemischte Workloads wie KI, Machine Learning oder Hochgeschwindigkeits-Transaktionen zu ermöglichen, heisst es.

Ab Dezember 2018 wird HPE Memory-Driven Flash als Upgrade für HPE 3PAR verfügbar sein, im Laufe des Jahres 2019 dann auch für HPE Nimble Storage.