13.03.2006, 12:03 Uhr
Samsung fertigt Speicherchips mit 80 Nanometern
Samsung startet mit der Massenfertigung von DDR-2-Speicher im 80-Nanometer-Verfahren.
Ab sofort läuft bei Samsung die Massenfertigung von 512-Mbit-DDR2-DRAM-Speicherchips (Double Data Rate 2 / Dynamic RAM) im 80-Nanometer-Prozess. Damit lassen sich erstens mehr Chips aus einem Wafer zimmern und zweitens die Chips selbst kleiner bauen.
Samsung fertigte die Memory-Chips bisher im 90-Nanometer-Verfahren. Die Herstellerin geht davon aus, dass DDR-2 sich spätestens im nächsten Quartal als Nachfolgerin von DDR-Memory etablieren wird.
Samsung fertigte die Memory-Chips bisher im 90-Nanometer-Verfahren. Die Herstellerin geht davon aus, dass DDR-2 sich spätestens im nächsten Quartal als Nachfolgerin von DDR-Memory etablieren wird.
Catharina Bujnoch
