Intel zeigt den Nachfolger von DRAM

Am Dienstag beginnt das Intel Developer Forum (IDF) in Peking. Diese Tagung will Intel dazu benutzen, um ihre jüngste Entwicklung, das PRAM, zu präsentieren. PRAM ist ein nicht-volatiler Speicher, ähnlich dem Flash-Speicher, der seine Zustände speichern kann. So werden die Informationen bei einem Abbruch der Stromzufuhr nicht gelöscht, wie dies beim DRAM der Fall ist. Der Flash-Speicher eignete sich aber nicht als DRAM-Ersatz, da dessen Lese- und Schreibgeschwindigkeit zu langsam und die Produktion zu teuer sind. Genau hier soll das PRAM punkten können. Das PRAM besteht hauptsächlich aus einem Glas, dessen Zustand mit Hilfe von Hitze geändert werden kann. Dadurch erhält das PRAM ähnliche Lese- und Schreibeigenschaften wie das DRAM. Intel plant traditionelle NOR- und NAND-Flash-Speicher durch PRAM zu ersetzen.