Enterprise-SSDs: Samsung vs. Intel

Im direkten Vergleich zu Intels Optane-SSDs zeigt sich der Samsung-Speicher damit speziell beim sequentiellen Lesen und Schreiben performanter. Intel gibt für das Modell DC P4800X 2,5 GByte/s beim Lesen und  2,2 GByte/s beim Schreiben an. Bei den IOPS-Werten ist der Intel-Speicher mit 550.000 IOPS lesend sowie schreibend in der Summe etwas leistungsfähiger als die neue Samsung-SSD.

Offiziell wird die SZ985-SSD in Versionen mit 800 und 240 GByte zusammen mit zugehörigen Technologien auf der International Solid-State Circuits Conference 2018 (ISSCC) in San Francisco vorgestellt, die vom 11. bis 15. Februar stattfindet.