20.04.2010, 10:36 Uhr
ETH baut Transistor der Zukunft
Transistoren sind wahre Energiefresser. Forscher der ETH versuchen, sparsamere Grundbausteine der Elektronik herzustellen, die auch leistungsfähig bleiben.
Schnell und sparsam: der Transistor aus Aluminium-Indiumnitrid aus den Labors der ETH
Nun ist es dem Team rund um ETH-Professor Colombo Bolognesi gelungen, mit einem neuen Material sparsame und schnelle Transistoren zu bauen. Die Forscher verwendeten dabei Aluminium-Indiumnitrid (AlInN) als Grundlage.
Diese Verbindung weist eine grössere Bandlücke auf (Band Gap). Diese bestimmt die physikalischen Eigenschaften eines Festkörpers. Im Fall von AlInN heisst dies, dass man damit Transistoren bauen kann, die deutlich höhere Temperaturen und Stromspannungen aushalten.
Nachteil bislang: die Bauteile waren zu langsam. Den ETH-Forschern ist es nun trotzdem gelungen, den Transistor um 40 Prozent auf 144 Gigahertz zu beschleunigen.
