05.05.2011, 10:01 Uhr
Intel plant 3D-Transistoren
Intel hat eine der wichtigsten Zukunftstechniken vorgestellt. Im Zentrum stehen dreidimensionale Transistoren. Diese sollen mehr Leistung und Energieeffizienz bringen.
Schematische Gegenüberstellung von flacher (links) und dreidimensionaler Transistoren
Laut Intel wird die Technik in künftigen Prozessoren verbaut werden, die im 22-Nanometer-Prozess hergestellt werden. Die Chips sollen bald in diversen Geräteklassen wie Server, PC, Tablets und Smartphones werkeln.
Wie Intel-Fellow Mark Bohr ausführt, ersetze die neue Chip-Technik, die Tri-Gate-Transistoren genannt wird, flache, zweidimensionale Reihen von Transistoren durch eine 3D-Struktur. Im Kern wird das zweidimensionale, plane logische Gatter durch eine dreidimensionale Finne ersetzt, die sich vertikal aus dem Silizium-Substrat erhebt. Ziel der Technik ist es laut Bohr, schnellere, kleinere und stromsparende Transistoren zu bauen.
Wie der Intel- Fellow während der Vorstellung der Technik in San Francisco weiter ausführt, könnten mit Hilfe der 3D-Transistoren sowie durch den 22-Nanometer-Prozess Chips hergestellt werden, die bis zu 37 Prozent schneller sind und nur noch die Hälfte des Strom verbrauchten, dies im Vergleich zu Prozessoren, die 32 Nanometer grosse Leiterbahnen aufweisen.
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###BILD_32851_left###Von diesen Eigenschaften werden künftige Ausgaben des Atom-Prozessors profitieren, wie Dadi Perlmutter, Leiter der Abteilung für Chiparchitektur von Intel ausführt. Die Atom-Chips werden hauptsächlich in tragbaren Rechnern wie Tablets, Netbooks, Smartphones und Spielkonsolen verbaut. Mit dem leistungsfähigeren Prozessoren erwartet Intel nach Angaben von Perlmutter gegenüber Konkurrent ARM an Boden gutzumachen.
Wie Bohr weiter ausführt, habe Intel zehn Jahre an der Tri-Gate-Architektur getüftelt. Nun sei man die erste Herstellerin, die einen Chip mit 3D-Technik einführe. Erste Prozessoren des neuen Typs werden nächstes Jahr erwartet, als Teil der für dann geplanten «Ivy Bridge»-Chips.
Wie Intel-Fellow Mark Bohr ausführt, ersetze die neue Chip-Technik, die Tri-Gate-Transistoren genannt wird, flache, zweidimensionale Reihen von Transistoren durch eine 3D-Struktur. Im Kern wird das zweidimensionale, plane logische Gatter durch eine dreidimensionale Finne ersetzt, die sich vertikal aus dem Silizium-Substrat erhebt. Ziel der Technik ist es laut Bohr, schnellere, kleinere und stromsparende Transistoren zu bauen.
Wie der Intel- Fellow während der Vorstellung der Technik in San Francisco weiter ausführt, könnten mit Hilfe der 3D-Transistoren sowie durch den 22-Nanometer-Prozess Chips hergestellt werden, die bis zu 37 Prozent schneller sind und nur noch die Hälfte des Strom verbrauchten, dies im Vergleich zu Prozessoren, die 32 Nanometer grosse Leiterbahnen aufweisen.
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###BILD_32851_left###Von diesen Eigenschaften werden künftige Ausgaben des Atom-Prozessors profitieren, wie Dadi Perlmutter, Leiter der Abteilung für Chiparchitektur von Intel ausführt. Die Atom-Chips werden hauptsächlich in tragbaren Rechnern wie Tablets, Netbooks, Smartphones und Spielkonsolen verbaut. Mit dem leistungsfähigeren Prozessoren erwartet Intel nach Angaben von Perlmutter gegenüber Konkurrent ARM an Boden gutzumachen.
Wie Bohr weiter ausführt, habe Intel zehn Jahre an der Tri-Gate-Architektur getüftelt. Nun sei man die erste Herstellerin, die einen Chip mit 3D-Technik einführe. Erste Prozessoren des neuen Typs werden nächstes Jahr erwartet, als Teil der für dann geplanten «Ivy Bridge»-Chips.
