Ausgezeichnete ICT-Erfindungen an der ETH Zürich

An der ETH Zürich ist der Spark Award vergeben worden. Dabei werden patentierte Erfindungen prämiert. Der Preis 2014 geht an ein Projekt aus dem Bereich Memory-Technik.

» Von Jens Stark , 10.03.2014 13:37.

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An der ETH Zürich wurden 2013 eigenen Angaben zurfolge 171 Erfindungen gemacht. 103 von diesen wurden zum Patent angemeldet. Welche von diesen Innovationen das Zeugs für kommerzielle Erfolge hat, wurde dieser Tage von ETH transfer, der Technologietransferstelle des Polytechnikums, bestimmt. Resultat ist der «Spark Award», mit dem der beste Geistesblitz ausgezeichnet wird. Die 2014er Ausgabe geht an ein Erfindung im Bereich Memory-Technik. Unter den fünf Finalisten fand sich zudem eine weitere zukunftsträchtige Erfindung mit ICT-Schwerpunkt.

So ging einer der Awards an Jennifer Rupp, Professorin für Elektrochemische Materialien, die zusammen mit den Wissenschaftlern Sebastian Schweiger und Felix Messerschmitt sogenannte «memrestive» Speicherbausteine entwickelt hat. Der Name ist eine Kombination der beiden Begriffe «Memory» und «Resistor» (elektrischer Widerstand). Tatsächlich handelt es sich bei den ETH-Entwicklungen um Speicher, die auf der ReRAM oder RRAM-Technik (Resistive Random Access Memory) aufbauen und Informationen durch den elektrischen Widerstand des Trägermaterials festhalten. Bislang waren solche memrestive Memorybausteine sehr einfach konstruiert. Zwischen zwei Metallschichten lag eine Oxidschicht. Den Forschern um Professorin Rupp ist es nun gelungen, die Oxid-Schicht durch mehrere Lagen zu ersetzen. Dies hat mehrere Vorteile: die Bausteine werden schneller, brauchen weniger Energie und können mehr Informationen länger speichern.

 

 

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