Fujitsu hat mit der Produktion erster NRAM-Bausteine begonnen. Die Speicher sind nicht flüchtig und 1000 Mal schneller als herkömmliche DRAM.
Fujitsu Semiconductor ist eigenen Angaben zufolge der erste Hersteller, der mit einer neuen Art RAM (Random Access Memory) in die Massenproduktion einsteigt. Die Speicher sollen 1000 Mal mehr leisten als DRAM (Dynamic RAM), die Daten aber wie Flash-Memory permanent aufbewahren können.
Die Nano-RAM oder NRAM genannten Memory-Bausteine wurden letztes Jahr erstmals vorgestellt und bestehen aus Kohlenstoff-Nanoröhrchen. Als Urheberin der Technik gilt die Firma Nantero.
Fujitsu will nun erste Bausteine im 55-Nanometer-Prozess herstellen, wobei bereits eine nächste Generation im 40-Nanometer-Prozess geplant ist. Bei dieser Transistorgrösse fassen die Module nur weniger Megabytes, können aber die anderen NRAM-Vorteile schon ausspielen. Neben der grösseren Leistungsfähigkeit gehören hierzu eine fast ewige Beständigkeit. So lassen sich herkömmliche Flashzellen maximal 8000 Mal beschreiben. Da die Kohlenstoff-Nanoröhrchen viel robuster sind, fällt diese Beschränkung so gut wie weg. Laut Nantero sind NRAM auf eine Billiarde Schreib- und Lesevorgänge getestet worden. Zunächst sollen die NRAM-Module in Servern und Rechenzentren zum Einsatz kommen. Allerdings sollen die Speicher nach und nach den Weg in Massenprodukte wie Smartphones finden. Da die Memories sehr wenig Energie benötigen, könnten Smartphones mit NRAM Monate-lang im Standby-Modus betrieben werden können, heisst es. Der Verbrauch der Bausteine liegt nämlich laut Nantero bei wenigen Zeptojoule (= 10-21 J).
