Hynix heizt mobilen Geräten ein

Laut den Angaben der Speicher-Herstellerin Hynix sollen bereits im ersten Quartal 2008 die 1-GBit-DRAM in die Massenproduktion gehen. Die in 60-Nanometer-Struktur gebauten Bausteine sind mit 200 MHz getaktet und bringen einen Datendurchsatz von bis zu 1,6 GByte/s hin. Obwohl die Chips die schnellsten ihrer Klasse sein sollen, verspricht die Herstellerin einen tieferen Stromverbrauch. Zu einem späteren Zeitpunkt soll auch noch eine Variante erscheinen, die den NAND- und DRAM-Speicher auf einem Chip vereint.